下载场发射体及其制备方法的技术资料

文档序号:4217432

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一种场发射体,其包括一导电基体及一碳纳米管阵列片断,该碳纳米管阵列片断包括一第一端及与第一端相对的第二端,该碳纳米管阵列片断的第一端与导电基体电连接,其中,该碳纳米管阵列片断的第二端包括多个场发射尖端,该场发射尖端包括多个并列设置的碳纳米管...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司授权不得商用。

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