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本发明涉及一种砷化镓半导体光导开关电极的制备方法，包括以下步骤：(1)用划片机划取所需尺寸的晶片作为衬底；(2)清洗砷化镓表面；(3)在砷化镓一表面紧贴一层不锈钢金属掩膜架；(4)镀膜作为一个电极；(5)在砷化镓相对的另一表面紧贴一层不锈钢...
该专利属于四川两用技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川两用技术有限公司授权不得商用。

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