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本发明公开了一种基于等效涡流厚度的硅片电导率检测方法，属于电涡流无损检测领域。通过对传统涡流法的改良，针对于厚度小于涡流检测的四倍渗透深度、且电导率小的硅片材料，可实现简单、高效、准确的电导率测量。步骤1、选取两个厚度相同、电导率不同的硅片...
该专利属于中国矿业大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国矿业大学授权不得商用。

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