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本技术涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种半导体反应腔室。本技术提供了一种半导体反应腔室，至少包括喷淋板上盖、抽气环、上盖板：所述喷淋板上盖，设置在腔体的上盖板上；所述抽气环，位于喷淋板上盖与上盖板之间；其中，所述喷淋板上盖的四周设...
该专利属于拓荆科技(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拓荆科技(上海)有限公司授权不得商用。

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