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本发明提供了一种半导体存储器装置。半导体存储器装置包括ＳＲＡＭ电路，该ＳＲＡＭ电路具有存储数据的第一ＳＲＡＭ单元和放大数据的电势差并且存储该电势差的第二ＳＲＡＭ单元；字线驱动器电路，该字线驱动器电路输出用于选择要被读取／写入数据的第一ＳＲＡ...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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