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具有凹进场板的半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:41907805
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一种半导体装置包括具有上表面和沟道的半导体衬底、在所述半导体衬底的所述上表面上方的源极电极和漏极电极、在所述源极电极与所述漏极电极之间的钝化层、在所述源极电极与所述漏极电极之间的栅极电极,以及邻近于所述栅极电极的导电场板。所述钝化层包括下部...
该专利属于恩智浦美国有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩智浦美国有限公司授权不得商用。
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