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本发明提供一种MOS晶体管制备方法及MOS晶体管，通过在带有第一沟槽的衬底表面生长氧化层，并生长第一多晶硅，其中，第一多晶硅上形成第二沟槽，且第一多晶硅的掺杂类型与衬底相同；在第一多晶硅上生长第二多晶硅，以将第二沟槽填平，其中，当第一多晶硅...
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