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本发明涉及一种抗单粒子翻转的SRAM存储单元电路及存储器，电路包括3个PMOS管和6个NMOS管。PMOS管MP4和NMOS管MN4构成了反相器电路；PMOS管MP1，PMOS管MP2，NMOS管MN1，NMOS管MN2，NMOS管MN3构...
该专利属于北京微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京微电子技术研究所授权不得商用。

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