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本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括：n型半导体层；位于所述n型半导体层内的多个p型柱；位于所述n型半导体层内且位于所述p型柱顶部的p型体区；位于所述p型体区内的n型源区；位于所述p型体区内的钳位栅，所述钳位栅通过第一栅介质层与所...
该专利属于苏州东微半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州东微半导体股份有限公司授权不得商用。

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