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一种测试结构及其形成方法及测试方法,结构包括:基底,包括隔离层,基底露出隔离层顶面,隔离层一侧的基底中形成有与隔离层相邻的漏区,隔离层另一侧的基底中形成有与隔离层相邻的源区,漏区用于作为第一测试信号加载端,源区用于作为第二测试信号加载端;层...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种测试结构及其形成方法及测试方法,结构包括:基底,包括隔离层,基底露出隔离层顶面,隔离层一侧的基底中形成有与隔离层相邻的漏区,隔离层另一侧的基底中形成有与隔离层相邻的源区,漏区用于作为第一测试信号加载端,源区用于作为第二测试信号加载端;层...