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本发明公开了一种利用PVT法生长六英寸碳化硅单晶的热场系统，该热场系统包括：坩埚，坩埚包括坩埚盖和坩埚本体，坩埚盖与坩埚本体可拆卸相连，坩埚盖的底部粘贴有籽晶，在从坩埚盖的边缘到中心的方向上，坩埚盖与籽晶相对的部分的厚度逐渐增大；石墨软毡，...
该专利属于江苏集芯先进材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏集芯先进材料有限公司授权不得商用。

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