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本申请提供了一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括：堆叠层，位于半导体层上；存储沟道结构，穿过堆叠层，并包括第一沟道层；选择栅结构，位于堆叠层的背离半导体层的一侧；以及选择沟道结构，穿过选择栅结构，并包括由外向内设置的阻隔层和第二沟道...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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