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本公开涉及一种具有稳健的栅极的增强模式晶体管和方法。所公开的结构包括增强模式高电子迁移率晶体管(HEMT)。HEMT包括势垒层和栅极，势垒层具有横向地定位在薄部分之间的厚部分。栅极包括位于势垒层的厚部分上并且具有横向地定位在薄部分之间的厚部...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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