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本发明涉及一种集成平面透镜的雪崩二极管阵列器件及其制备方法，该器件的n区衬底的一侧端面具有n区欧姆联接层，另一侧端面设有由7个单模APD探测器构成的APD探测器阵列，其中6个单模APD探测器环形阵列分布在1个单模APD探测器的四周，相邻两个...
该专利属于边际科技（珠海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过边际科技（珠海）有限公司授权不得商用。

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