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本发明公开了一种圆滑曲面微结构的制作方法,其特征在于所述的方法以负性化学放大光刻胶(chemically amplified photoresist)为圆滑曲面微结构的制作材料,首先在基片上旋涂第一层负性化学放大光刻胶,并软烘、曝光,然后直...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种圆滑曲面微结构的制作方法,其特征在于所述的方法以负性化学放大光刻胶(chemically amplified photoresist)为圆滑曲面微结构的制作材料,首先在基片上旋涂第一层负性化学放大光刻胶,并软烘、曝光,然后直...