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本发明提供了一种高压MOS晶体管及其制备方法，应用于半导体技术领域，包括先提供半导体衬底，在形成栅氧化层和栅极层，在进行离子注入，以在形成有栅极层的栅极沟槽的两侧所对应的半导体衬底中形成源极和漏极，由于本发明中的高压MOS晶体管的栅极层从现...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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