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本发明公开了一种二维材料场效应晶体管器件及其制备方法。其中，所述方法包括：该器件栅介质层采用固态质子导体膜；该固态质子导体膜在电场影响下，产生H<supgt;+</supgt;质子。本发明通过制备固态质子导体作为栅介质，施加一个...
该专利属于昆山厦大创新中心所有，仅供学习研究参考，未经过昆山厦大创新中心授权不得商用。

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