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本申请提供一种离子注入机台工艺匹配方法，包括：采用旧离子注入机台以及新离子注入机台分别对第一组晶圆及第二组晶圆以预设工艺参数进行离子注入，并获取相应组晶圆的电性测试阈值；根据进行离子注入的第一组晶圆时的真空度值，确定其能量污染产生的污染剂量...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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