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本发明涉及包括铁电薄膜的电子器件、半导体器件和制造铁电薄膜的方法。电子器件可包括导电材料层、覆盖所述导电材料层的铁电层、以及覆盖所述铁电层的电极。所述铁电层可包括由Hf<subgt;x</subgt;A<subgt;y&l...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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