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一种含有电阻存储器的集成电路的制作方法，包括：提供包括核心器件区域和外围电路区域的层间介质层；在层间介质层内分别形成第一互连结构和第二互连结构；在第一互连结构和第二互连结构表面上形成第一介质层和第二介质层；形成覆盖层间介质层以及第一介质层和...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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