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本发明提供一体化限幅低噪声放大器电路,包括复合限幅器结构、第一电容、第二电容、第一晶体管、第一电感和源极电感,复合限幅器结构与第一电容的两端相连且复合限幅器结构接地;第一电容的一端和射频信号输入端,第一电容的另一端和第一晶体管的栅极以及栅极...该专利属于南通至晟微电子技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南通至晟微电子技术有限公司授权不得商用。
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本发明提供一体化限幅低噪声放大器电路,包括复合限幅器结构、第一电容、第二电容、第一晶体管、第一电感和源极电感,复合限幅器结构与第一电容的两端相连且复合限幅器结构接地;第一电容的一端和射频信号输入端,第一电容的另一端和第一晶体管的栅极以及栅极...