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本发明提供一种封装结构的制备方法，在形成凸块下金属层之前，先对重新布线层中的金属线层进行刻蚀，使金属线层的表面低于介质层的表面，再利用光刻工艺在下凹的金属线层和介质层上形成凸块下金属层，使得凸块下金属层的表面具有凹陷的形貌，最后在凸块下金属...
该专利属于盛合晶微半导体（江阴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛合晶微半导体（江阴）有限公司授权不得商用。

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