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本发明公开了一种MOSFET测试方法及系统，包括对MOSFET的栅极施加逐渐增加的电压，得到栅极电压与漏源电流的曲线，获得阈值电压，持续施加不同的电流，记录对应的漏源电压，计算得到导通电阻，调整漏源电压至指定范围内，监控温度和电流稳定性，获...
该专利属于深圳市冠禹半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市冠禹半导体有限公司授权不得商用。

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