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本发明公开了一种本发明FDSOI MOSFET的源漏外延层的制造方法，包括：步骤一、在FDSOI衬底上形成浅沟槽隔离，浅沟槽隔离会使有源区的边缘处的顶部半导体层损耗。步骤二、打开MOSFET的源漏区的形成区域。步骤三、进行第一次外延生长形成...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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