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本发明提供一种轻掺杂漏区的形成方法，重新出版各器件中阈值电压最小的器件的轻掺杂漏区光罩，轻掺杂漏区光罩作为轻掺杂工艺中的首层光罩，其用于定义出各器件的共源注入区；在对各器件进行离子注入时，形成覆盖各器件的光刻胶层，利用首层光罩打开各器件轻掺...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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