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本发明提供了一种肖特基薄膜晶体管及其制备方法，该肖特基薄膜晶体管包括衬底层、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源极层以及漏极层，所述栅极层位于所述衬底层之上，所述栅极绝缘层位于所述栅极层之上，所述有源层位于所述栅极绝缘层之上，所述源极层以及所述漏...
该专利属于深圳技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳技术大学授权不得商用。

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