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本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构，包括：基底，具有存储区以及周边电路区，周边电路区包括第一区域与第二区域；栅极结构，位于第一区域的基底上以及第二区域的基底上；第一侧墙结构，位于栅极结构的侧壁；第二侧墙结构，位于第一侧墙结构的...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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