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一种液相法生长碳化硅晶体的装置制造方法及图纸
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下载一种液相法生长碳化硅晶体的装置的技术资料
文档序号:41389167
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本技术实施例提供了一种液相法生长碳化硅晶体的装置,涉及碳化硅生长技术领域。液相法生长碳化硅晶体的装置包括坩埚及籽晶杆。坩埚用于放置助溶剂,籽晶杆包括在轴线方向上相对的第一端及第二端,第一端相对第二端靠近坩埚底壁。籽晶杆开设有气路通道,气路通...
该专利属于通威微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过通威微电子有限公司授权不得商用。
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