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本申请提供一种可控硅芯片制作方法及可控硅芯片，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供一包括第一表面和第二表面的硅片；在第一表面及第二表面蒸发金属，形成第一金属层及第二金属层；根据第一金属层及第二金属层对硅片进行预扩散，在硅片内部形成第一预扩...
该专利属于吉林华微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林华微电子股份有限公司授权不得商用。

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