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本发明提供一种赝配高电子迁移率晶体管及其制备方法。其中，所述方法是先在所述栅槽内形成第一图案化光刻胶层以限定栅极结构的栅长，规避了蒸镀工艺的蒸发角度对栅长的影响，提高栅长限定的灵活度和精准度。然后，采用第一介质层覆盖所述衬底和所述栅槽暴露出...
该专利属于上海新微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微半导体有限公司授权不得商用。

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