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本发明公开一种多层堆叠晶片接合结构及其制作方法，其中该多层堆叠晶片接合结构包含一逻辑晶片，其具有一基底以及一逻辑电路层位于该基底上、多个存储器晶片依序接合在该逻辑电路层上构成一第一多层堆叠结构，其中每个该存储器晶片包含一存储器层、一硅层位于...
该专利属于力晶积成电子制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶积成电子制造股份有限公司授权不得商用。

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