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本发明属于原子层沉积技术领域，公开了一种制备二维晶体材料的装置及方法。本发明在原子层沉积的单原子层沉积周期内，利用沉积单元沉积形成二维非晶薄膜，利用激光系统操控沉积薄膜表面的原子键断裂、成键和原子排布，使沉积的二维非晶薄膜变为二维晶体薄膜；...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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