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一种三维半导体存储器装置，其包括：单元串，其从衬底的顶表面竖直地延伸，并且包括第一单元晶体管和第二单元晶体管；第一字线和第二字线，其分别连接至第一单元晶体管的栅电极和第二单元晶体管的栅电极；第一传输晶体管，其将第一字线连接至行解码器；以及第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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