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本发明揭露的存储单元感测方法是包含选择一存储单元。施加至存储单元的一第一偏压诱发存储单元中的第一反应。施加至存储单元的一第二偏压诱发存储单元中的第二反应，该第二偏压是与第一偏压不同。该方法包含根据该第一及第二反应之间的差值与一预定参考值，以...
该专利属于旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司授权不得商用。

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