温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法，属于半导体材料制备领域，采用的技术方案：步骤1)清洗硅衬底，并将清洗后的硅衬底放入原子层沉积腔室内；步骤2)调整原子层沉积腔室内真空度＜1Torr，将硅衬底温度升温至230℃‑280℃，采用原子层沉...
该专利属于西安邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安邮电大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。