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半导体装置具有第一导电型的第一TFT和第二导电型的第二TFT。第一TFT具有：第一半导体层，其由第一导电型的氧化物半导体材料形成；第一栅极绝缘层，其设置在第一半导体层上；第一栅极，其隔着第一栅极绝缘层与第一半导体层的沟道区域相对；和第一源极...
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