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本发明涉及一种FCE二极管及制备方法，尤其是一种可提升空穴注入效率的FCE二极管及制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种可提升空穴注入效率的FCE二极管，所述FCE二极管包括：半导体衬底，呈N导电类型；阳极结构，制备于所述半导体衬底的正面...
该专利属于江苏芯长征微电子集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏芯长征微电子集团股份有限公司授权不得商用。

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