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一种适用于半导体致密结构高耐压绝缘涂层的制备方法技术
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下载一种适用于半导体致密结构高耐压绝缘涂层的制备方法的技术资料
文档序号:41290585
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本发明属于材料制备领域,具体涉及一种适用于半导体致密结构高耐压绝缘涂层的制备方法,包括以下步骤:半导体基体的预处理;以纳米级原料制备的陶瓷粉末,获取第一原料;将所述第一原料进行造粒,并对造粒后的第一原料进行等离子烧结,得到第二原料;对所述第...
该专利属于北矿新材科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北矿新材科技有限公司授权不得商用。
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