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一种获取离子掺杂工艺参数及半导体结构的形成方法，方法包括：获取栅介质层的实际厚度；获取栅介质层的厚度值与预设离子掺杂工艺的离子掺杂工艺参数的映射关系，映射关系为在预设电性参数的值为相同值的条件下，栅介质层的不同厚度值对应的离子掺杂工艺参数，...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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