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半导体器件及其制备方法技术
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文档序号:41278608
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本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该制备方法包括提供衬底,衬底包括依次堆叠的第一衬底层、绝缘层和第二衬底层;基于第一衬底层,形成逻辑电路,逻辑电路位于绝缘层靠近第一衬底层的一侧;基于第二衬底层,形成硅光电路,硅光电路位于绝缘层靠近第二衬...
该专利属于北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学授权不得商用。
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