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一种具有空穴阻挡层的氮化物半导体元件制造技术
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下载一种具有空穴阻挡层的氮化物半导体元件的技术资料
文档序号:41278173
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本发明提供了一种具有空穴阻挡层的氮化物半导体元件,包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱和p型半导体层,所述n型半导体层中设置有至少一个空穴阻挡层。本发明提供的一种具有空穴阻挡层的氮化物半导体元件,通过在n型半导体层中设置至少一个...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。
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