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本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有变K介质的高可靠器件结构，该器件包括依次层叠设置的衬底层、SOI介质层和顶层硅。所述的顶层硅包括第二导电类型漂移区、第一导电类型阱区、位于器件表面的多晶硅栅与栅氧化层。当SOI介质层中使用变K介质，...
该专利属于成都市鸟蛋微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都市鸟蛋微电子科技有限公司授权不得商用。

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