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本发明公开了一种常压制备厘米级二硫化钼薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明中，设计了一种两阶段生长法，第一阶段使氧化钼融入熔融态的钠钙玻璃；第二阶段在钠离子的催化下，硫粉和氧化钼在熔融态的钠钙玻璃内部反应生成二硫化钼，进而扩散到熔...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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