温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体沟槽刻蚀方法，涉及半导体技术领域，包括湿法刻蚀装置主体，所述湿法刻蚀装置主体的顶部固定连接有储气仓，所述湿法刻蚀装置主体的内壁底部固定连接有刻蚀台，所述刻蚀台的顶部左侧固定连接有半导体传动台，所述刻蚀台的顶部后侧固定连...
该专利属于苏州中瑞宏芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州中瑞宏芯半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。