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高密度硅基电容器制造技术
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文档序号:41214535
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公开了具有金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的设备和用于制造该设备的方法。该MIM电容器包括:多个沟槽,该多个沟槽在硅(Si)基板中;多孔Si表面,该多孔Si表面形成在该多个沟槽中,其中该多孔Si表面具有在该多个沟槽的侧壁和底部上的不规则表...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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