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本公开提供一种磁存储器及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决同一掩膜版下无法获得任意尺寸/长宽比隧道结的技术问题。该制备方法通过形成磁隧道结堆叠层、第一掩膜层和多个掩膜柱，且每个掩膜柱包括依次叠置的第一分层和第二分层，再各向同性刻蚀掩膜...
该专利属于致真存储（北京）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过致真存储（北京）科技有限公司授权不得商用。

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