温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底内具有第一导电层；在衬底上形成介质层，介质层内具有插塞开口；采用选择性金属生长工艺形成导电插塞，导电插塞填充满插塞开口，且导电插塞的顶部表面凸起于介质层的顶部表面；在导电插塞的顶部...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。