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本技术公开了CVD炉管真空管路防沉积定制中心环，包括装置本体，所述装置本体包括真空管路、顶盖和防沉积环，所述真空管路位于装置本体底部，所述顶盖安装在真空管路顶部，所述防沉积环安装在真空管路底端内部；所述防沉积环顶部设有安装尖角，所述安装尖角...
该专利属于上海至纯半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海至纯半导体设备有限公司授权不得商用。

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