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本发明公开的检测ＣＭＯＳ工艺硅栅随机缺陷的方法，步骤包括：按４因素３水平正交表Ｌ９（３４）设计参数化晶体管梳状测试结构，检测硅栅为控制门极时晶体管源极与漏极之间的漏电缺陷；按５因素４水平正交表Ｌ１６（４５）设计参数化晶体管通孔链式测试结构，...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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