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本技术公开的一种用于刻蚀腔加热装置，包括刻蚀箱，刻蚀箱底侧设置有用于承接半导体器件的承载台；承载台顶侧形成由刻蚀箱围拢密封的刻蚀工作腔，在刻蚀工作腔周向外缘设置有位于刻蚀箱内壁处、对承载台上待加工半导体器件再次周向环形防护的腔壁密封环；腔壁...
该专利属于珠海恒格微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海恒格微电子装备有限公司授权不得商用。

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